패키징의 정의
외부환경으로부터 보호하고 단자간 연결을 위한 전기적인 포장. 반도체 칩을 탑재될 기기에 적합한 형태로 포장한다
PCB - Printed Circuit Board (인쇄 회로 기판)
- 컴퓨터를 열어보았을 때 mother board의 초록 색상이다
- 전자부품을 PCB에 고정하고 부품사이를 구리 배선으로 연결해 전자회로를 구성한다
- 전선의 배선이 인쇄되기에 인쇄회로로 불린다
- 목적에 맞게 설계와 두께가 정해진다
패키징용 PCB - SUBSTRATE PCB / IC Substrate
- 전자회로 구성용 PCB보다 얇으며 DIE의 전기적 인출을 담당한다
- PCB가 전자부품을 실장하는 기판이라면 IC Substrate는 Chip을 실장하는 기판이다
- 칩을 패키지 기판(IC Substrate)에 실장한 뒤 칩을 몰딩한 후에 메인기판(PCB)에 실장한다
CONVENTIONAL PACKAGE의 두가지 방법
- 전통적 방식인 WIRE BONDING (WB공정) 을 통한 DIE와 PCB 배선
- DIE와 PCB를 납땜 방식으로 붙이는 FLIP CHIP 공정
와이어본딩 Wire Bonding
- 와이어 본딩(Wirebonding)은 실리콘 칩과 반도체 디바이스의 외부 선을 매우 미세한 배선으로 전기적 연결을 하는 공정
- Wirebonding에 사용되는 배선은 대게 Au나 Al 계열이 많이 쓰이며 Cu 도 반도체 제조 산업에서 쓰이기 시작
- Au는 산화작용이 적어 bonding 시 크게 문제가 되지 않으나 Cu의 경우 산화되는 것을 방지하기 위해 wirebonding 공정 중에 질소 가스를 사용해야 한다
- Cu는 Au 보다 강하기 때문에 칩의 표면에 쉽게 대미지를 줄 수 있다
- 어쨋거나 Cu는 Au보다 값이 싸고 전기적으로 우수한 성질을 가지고 있으므로 상황에 맞게 선택
- 일반적인 패키지에서 다이와 캐리어의 접합은 와이어(wire)를 이용한다
- 다이는 캐리어의 표면에 접착되고, 와이어로 다이와 캐리어를 연결함
Flip Chip
- 반도체 칩을 회로 기판에 부착시킬 때 금속 리드(와이어)와 같은 추가적인 연결구조나 볼그리드어레이(BGA)와 같은 중간 매체를 사용하지 않고 칩 아랫면의 전극 패턴을 이용해 그대로 융착시키는 방식
- 선이 없는(Leadless) 반도체라고도 한다
- 패키지가 칩 크기와 같아 소형, 경량화에 유리하고 전극 간 거리를 훨씬 미세하게 만들 수 있는 것이 특징
CONVENTIONAL PACKAGE의 발전
- WIRE BONDING: 주로 메모리 제품에 활용, 다단 적층에 유리, 가격, 전기적 성능 DOWN
- 메모리 제품의 예 - NAND, DRAM, FLASH
- FLIP-CHIP: 주로 비메모리 제품에 활용, WB 대비 빠른 전기 인출, 가격, 전기적 성능 UP
- 비메모리 제품의 예 - AP, CPU
플립칩의 장점
- 신호(signal) 저항 계수 감소 - 다이와 캐리어의 거리가 짧아짐에 따라, 신호 저항 계수가크게 감소 - 이것이 바로 초고속의 통신과 스위칭 장치(switching device)의 핵심 적인 요소
- 전기(power/ground) 저항 계수의 감소 - 플립칩 접합 기술을 사용함에 따라, 종전의 다이 끝 부분을 통해 우회하던 전기신호가 다이의 핵심부분으로 바로 이동하게 됨. 이를 통해 핵심전력의 노이즈(noise)를 줄이게 되고 칩의 성능을 개선
- 높은 신호(signal) 집적- 종전의 다이의 측면만을 이용한 방식에서 벗어나 다이의 전면을 접점으로 이용함에따라 집적도를 높일 수 있게 됨. 이것은 QFP와 BGA 패키지를 비교하는 것과 비슷함. 플립칩은 다이의 전면을 접점으로 사용함에 따라 작은 다이에서도 상당한 량의 접점을 만들어 낼 수 있다
- 다이 사이즈 감소 - 필요한 본드 패드(bond pads)의 수량(면적)에 의해 다이의 사이즈가 결정되던 종래의 방식을벗어남으로 그 만큼의 다이 사이즈를 줄일 수 있게 되고 실리콘 비용을 줄일 수 있게 된다
- 패키지 풋프린트(footprint) 감소 - 어떤 경우에는 플립칩 기술을 사용함에 따라 전체적인 패키지 사이즈가 줄게 됨. 패키지 사이즈 감소는 와이본딩을 위한 공간을 없애고, 집적도 높은 기판을 사용함으로써 가능하게 된다
- 플립칩의 장점 출처: https://toparadic.tistory.com/278
CONVENTIONAL PACKAGE의 변화, 진화
- WIRE BONDING: 다단 적층에 유리 (경박단소 - 가볍고 얇고 작다)
- FLIP-CHIP : 다단이 가능하지만 WB만큼 높게 쌓을 수 없다
- V-NAND: 위로만 쌓아 올릴 수 없기 떄문에 DIE를 V자로 쌓아 올리는 형태
패키징 공정의 흐름
- WAFER 준비
- BACKLAP 공정
- SAWING 공정
- WIRE BONDING 혹은 FLIP-CHIP MOUNT
- MOLDING 공정
- MARKING 공정
- SBA ATTACH 솔더볼 붙임
- PKG SORTING
- 각종 테스트
WB 및 FC MOUNT 공정
- 각각 추가적인 공정이 존재
- DIE ATTACH 와 FLUX+REFLOW 공정
- DIE ATTACH 는 WB에 해당, 후자는 FLIP-CHIP에 해당
BACKLAP, BACKGRINDING 공정
- 백 그라인딩(Back Grinding, B/G) 공정은 제작된 웨이퍼를 패키지 특성에 적합한 두께로 만들기 위해 웨이퍼의 뒷면을 가공한 후 원형 틀(Ring Frame)에 붙이는(Mount) 공정까지 포함한다.
- 웨이퍼의 뒷면을 연마(Grinding)하기 전, 앞면에 보호용 테이프인 백 그라인딩 테이프를 붙인다
- 이것은 백 그라인딩 공정 중 회로가 구현된 웨이퍼의 앞면에 물리적인 손상이 생기지 않게 하기 위해서다
- 그다음에 휠이 회전하면서 웨이퍼의 뒷면을 연마한다
- 이때, 입자의 크기가 큰 휠을 이용하여 목표 두께 근처까지 빠른 속도로 그라인딩한 뒤, 고운 입자를 가진 휠을 이용하여 목표 두께까지 섬세하게 그라인딩한다
- 그리고 입자가 고운 패드로 표면의 거칠기(Roughness)를 다듬는 폴리싱(Polishing) 작업을 해준다https://news.skhynix.co.kr/post/seominsuk-column-types-of-packages-6
- 전공정에서 웨이퍼가 입고되면 패턴면과 뒷면이 존재
- 제품의 타겟 두께에 맞게끔 연삭을 진행
- 사포의 원리와 동일하게 거친 연삭 후 미세 연삭 진행
- 메모리는 굉장히 얇게 40UM, 비메모리는 100UM의 두꼐
- GRINDING WHEEL과 PAD 활용
- 초미세 연마: CMP (SILICA 입자 활용) CHEMICAL MECHANICAL POLISHING
- 연삭은 없앤다 연마는 갈아낸다는 차이가 있다
연삭의 이유
- 연삭을 통한 TARGET 두꼐 도달 후 다단 적층 공정
- WAFER에 존재하는 미세 결함을 제거해 CHIP의 강도를 상승시킴
- 웨이퍼의 표면에 흠집이 존재한다면 CRACK을 유발할 수 있어 SEED를 제거한다
SAWING 공정
- 톱질
- WAFER의 칩들을 개별로 나누는 공정
- SAW 톱의 물리적 방식과 LASER 에너지 방식 존재
- 물리적 방식 : BLADE SAW
- 레이저 방식: CO_2 레이저
- 레이저로 점을 만들고 모든 방향으로 쫙 땡겨주면 깔끔하게 떨어짐
DIE ATTACH 공정 (WIRE BONDING을 위한)
- PCB SUBSTRATE 위에 SAWING된 칩들을 낱개 단위로 놓아줌
- PCB와 DIE 간의 접착을 위해 DIE ATTACH FILM (DAF)이라고 하는 양면 테이프를 사용
FLIP CHIP MOUNT
- FLIP CHIP 패키지의 경우, 패턴면의 아래쪽에 SOLDER BUMP가 존재
- CHIP의 SOLDER BUMP와 PCB 간의 결합을 위해 FLUX라고 하는 송진과 같은 역할을 하는 화학 약품을 바른 후, 열 공정(REFLOW)를 통해 PCB와 결합을 진행
참고할 글
자료 출처
쉽게 이해하는 반도체 패키징 - 반도체 패키징 연구실 (한밭대학교 FCML)
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