https://www.youtube.com/watch?v=-9UobbD1loc
TC-NCF는 반도체 칩 사이에 NCF라는 필름을 덧대고 열과 압력을 가해 칩을 결합하는 공정이다. 삼성전자는 어드밴스드 기술을 적용해 얇은 반도체 칩을 많이 쌓을 때 발생하는 '휘어짐'을 최소화했다. 종전보다 얇은 필름(NCF)을 사용해 칩 사이 간격을 줄였고, 크기가 다른 범프(칩을 전기적으로 연결하는 돌기)를 적용해 열 방출 성능과 수율을 높였다.
업계는 삼성전자의 어드밴스드 TC-NCF 기술 개발을 의미 있게 평가했다. 기존 TC-NCF는 SK하이닉스가 적용한 MR-MUF 공정 대비 낮은 열 방출 성능 및 수율 등 단점이 지적됐는데 이를 삼성전자가 보완한 것이기 때문이다.
MR-MUF는 반도체 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 공정이다. SK하이닉스도 과거에는 TC-NCF를 적용했지만 HBM2E(3세대)부터 독자 개발한 MR-MUF 공정을 채택했다. HBM3(4세대) 생산에는 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 공정 효율과 제품 성능 안정성을 높였다. SK하이닉스가 HBM 시장 1위를 유지하는 비결 중 하나로 MR-MUF 공정 도입이 꼽힌다.
https://news.mt.co.kr/mtview.php?no=2024030413415923003
https://www.chosun.com/economy/tech_it/2024/05/03/R2OOFKI4GVBKFOVO6YP7C4MI7I/
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https://news.skhynix.co.kr/post/interconnection-for-advanced-packaging
https://dealsite.co.kr/articles/119413
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