https://www.sedaily.com/NewsView/29OEGJGUPB
SK하이닉스가 HBM에 진심인 이유 <1> [강해령의 하이엔드 테크]
산업 > 기업 뉴스: 정보기술(IT) 시장에 관심 많으신 독자 여러분, 안녕하세요. 지난 20일 SK하이닉스에서 흥미로운 반도체 개발 소식을 발표했습니...
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https://www.sedaily.com/NewsView/29OHODCQ01
SK하이닉스가 HBM에 진심인 이유 <2> [강해령의 하이엔드 테크]
산업 > 기업 뉴스: 정보기술(IT) 시장에 관심 많으신 독자 여러분, 안녕하세요. 지난주 하이엔드 테크 기사에서는 SK하이닉스(000660)가 고대역폭메...
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https://blog.naver.com/noback91/223145119029
SK하이닉스가 HBM3에 사용한 Advanced MR-MUF란?
원래는 조금 다른 이유로 검색을 하다가 정리하고 싶은 내용이 생겨서 글로 적어봅니다. 플립칩 본딩에는 ...
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https://news.skhynix.co.kr/post/sk-hynix-12-layer-hbm3-interview
“HBM 시장 1위 우리가 지킨다” 같은 크기로 더 큰 용량을 제공하는, 세계 최초 12단 HBM3 개발 주
뉴스룸은 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 등 첨단 기술을 적용해 최고의 가치를 구현한 12단 HBM3 개발진을 만나 이번 제품의 특장점과 개발 비하인드 스토리 그리고 차세대 제품에 대한 포부까지 들어
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https://news.skhynix.co.kr/post/pathfinder-1-hkmg
[Pathfinder, 선행 기술과 동행하다(1편), HKMG 공정 소개편] 초고속, 초저전력 끝판왕 LPDDR5X와 LPDDR5T,
스마트폰에 들어가는 모바일용 D램은 크기가 작아야 하고 소비전력이 낮아야 한다. SK하이닉스가 모바일용 D램 강자 지위를 공고히 할 수 있었던 ‘기술력의 비밀’은 무엇일까? High-K Metal Gate(이
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https://news.skhynix.co.kr/post/pathfinder-2-adv-pkg
[Pathfinder, 선행 기술과 동행하다(2편), 어드밴스드 패키지 기술 소개편] 웨이퍼 공정 미세화의 한
SK하이닉스는 D램, 낸드플래시 등 종류가 다른 칩을 하나로 모으고, D램을 수직으로 쌓아 대역폭을 늘리는 등 어드밴스드 패키지(Advanced Package) 기술로 한계를 뛰어넘고 있다. 앞선 기술력으로 무
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https://news.skhynix.co.kr/post/pathfinder-3-4d-nand
[Pathfinder, 선행 기술과 동행하다(3편), 4D 낸드 기술 소개편] 더 많이 쌓고, 더 많이 저장하고… 첨
SK하이닉스 낸드 혁신의 핵심인 4D 낸드 기술을 자세히 알아본다. Cost-effective 3-Plug 형성, Sideway Source, All PUC, Advanced CTF 등 적층 및 성능 향상에 특화된 4D 1.0부터 MSC 등 적층 한계를 극복하는 4D 2.0까
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https://tristanchoi.tistory.com/458
반도체 기술 탐구: SK Hynix의 HBM 패키징 기술, TSV와 MR-MUF
1. TSV HBM 기사가 나오면 단골손님처럼 등장하는 기술 용어가 'TSV'이다. TSV는 'Through Silicon Via'의 줄임말로 실리콘(반도체 wafer)를 관통하는 만드는 배선, 즉 '실리콘관통전극'이다. 반도체의 집적도
tristanchoi.tistory.com
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