https://en.wikipedia.org/wiki/Fan-out_wafer-level_packaging
https://www.youtube.com/watch?v=pOBkSEOLqZ8&pp=ygUdRmFuLW91dCB3YWZlci1sZXZlbCBwYWNrYWdpbmc%3D
팬아웃 웨이퍼 레벨 패키징(또한 웨이퍼 레벨 팬아웃 패키징, 팬아웃 WLP, FOWL 패키징, FO-WLP, FOWLP 등으로 알려짐)은 집적 회로 패키징 기술이며, 표준 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 솔루션의 향상된 버전이다.
팬아웃 패키징은 2.5D 및 3D 패키지에서 볼 수 있는 실리콘 인터포저를 사용하는 패키지에 대한 저비용 고급 패키징 대안으로 여겨진다.
기존 기술에서는 먼저 웨이퍼를 절단한 다음 개별 다이를 패키징하는데, 패키지 크기는 일반적으로 다이 크기보다 훨씬 크다. 반면 표준 WLP 공정에서는 웨이퍼의 일부인 상태에서 집적 회로를 패키징하고, 그 후에 웨이퍼(외층 패키징 추가)를 절단한다. 그 결과 패키지 크기가 다이와 거의 동일해진다. 그러나 작은 패키지의 장점에는 한계된 패키지 면적에 수용할 수 있는 외부 접점 수가 제한된다는 단점이 있으며, 많은 접점이 필요한 복잡한 반도체 소자에는 큰 제한이 될 수 있다.
https://www.youtube.com/watch?v=2BnogXAaboI&pp=ygUdRmFuLW91dCB3YWZlci1sZXZlbCBwYWNrYWdpbmc%3D
팬아웃 WLP는 이 제한을 완화하기 위해 개발되었다. 기존 패키지에 비해 더 작은 패키지 면적과 향상된 열 및 전기 성능을 제공하며, 다이 크기를 늘리지 않고도 더 많은 접점을 가질 수 있게 해준다.
https://www.youtube.com/watch?v=YRiaQJerMzQ&pp=ygUdRmFuLW91dCB3YWZlci1sZXZlbCBwYWNrYWdpbmc%3D
FOWLP에 사용되는 3가지 공정 접근법은 다음과 같다:
- 앞면 아래, die-first
- 윗면 위, die-first
- 앞면 아래, die-last
표준 WLP 공정과 달리, 팬아웃 WLP에서는 먼저 웨이퍼를 절단한다. 그리고 나서 다이를 매우 정밀하게 캐리어 웨이퍼나 패널에 재배치하는데, 각 다이 주위에 팬아웃 영역이 남겨진다. 이 캐리어는 몰딩을 통해 재구성되고, 전체 몰딩 영역(다이 위와 인접한 팬아웃 영역) 위에 재배분 층을 만든 후, 상단에 솔더볼을 형성하고 웨이퍼를 절단한다. 이를 칩-퍼스트 공정이라고 한다. 패널 레벨 패키징은 웨이퍼 대신 큰 패널을 사용하여 패키징 공정을 수행한다. 고급 팬아웃 패키지는 선폭과 선간 간격이 8마이크론 미만인 것들이다. 팬아웃 패키지는 여러 개의 다이와 패시브 소자를 포함할 수 있다. 최초의 팬아웃 패키지는 2000년대 중반 인피니언에 의해 모바일폰 칩에 사용하기 위해 개발되었다.
https://www.youtube.com/watch?v=R7ssguwtef4&pp=ygUdRmFuLW91dCB3YWZlci1sZXZlbCBwYWNrYWdpbmc%3D
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