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삼성전자가 칼 갈고 준비한 메모리 新무기 3선 [강해령의 하이엔드 테크] <2· HBM-PIM편>
[서울경제] 정보기술(IT) 시장에 관심 많으신 독자 여러분, 안녕하세요. 인공지능(AI) 시대가 열리면서 반도체의 모양·성능도 정말 다양하게 변하고 있죠. D램 구조 역시 각양각색으로 바뀌고 있
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| 메모리 | 모바일용 DRAM | □ 업계 최초 LPDDR5X D램 개발 |
| (2021.11 | - 기존 제품 대비 속도 30% 이상, 소비전력 효율 약 20% 개선 | |
| ~2023.09.) | - 업계 최선단 14나노 기반, 단일 패키지 용량 64GB까지 확대 가능하여 | |
| 모바일 외, 서버/Automotive 등 고성능 저전력 메모리 적용 분야 확대 | ||
| - 퀄컴 스냅드래곤 모바일 플랫폼에 8GB LPDDR5X D램 패키지 탑재해 업계 최고 동작 속도(8.5Gbps) 검증 | ||
| □ 업계 최초 LPCAMM 개발 | ||
| - LPDDR 기반 모듈 개발로 PC·노트북 등 차세대 모듈 시장 선도 | ||
| - SO-DIMM 대비 성능 50%↑ 전력 효율 70%↑ 탑재 면적 최대 60% 이상↓ 가능 및 | ||
| 교체ㆍ업그레이드 용이하여 제조 유연성 및 사용자 편의성 증대 | ||
| - 주요 고객사와 차세대 시스템에서 검증 예정, 2024년 상용화 추진 및 | ||
| 차세대 PCㆍ노트북부터 데이터센터 등으로 응용처 확대 기대 | ||
| 서버용 DRAM | □ 업계 최초 HKMG 공정 적용 고용량 DDR5 메모리 개발 | |
| (2021.03. | - High-K Metal Gate, 8단 TSV 적용으로 512GB DDR5 모듈 구현 | |
| ~2023.09.) | - 기존 공정 대비 약 13% 전력소모 낮추고, 성능은 2배 이상 향상 | |
| - 차세대 컴퓨팅, 슈퍼컴퓨터, 대용량 데이터센터 등에 적용 예정 | ||
| □ 업계 최선단 12나노급 D램 양산 | ||
| - 14나노 D램 대비 생산성 향상 및 저전력 특성 개선으로 생산성 약 20% 향상, 소비전력 약 23% 감소로 | ||
| 차세대 컴퓨팅 최적화 | ||
| - 고유전율 신소재 적용 커패시터 등 최신 기술 적용 최선단 공정 완성 | ||
| - 대용량 컴퓨팅 시장 수요에 맞는 고성능, 고용량 D램 솔루션 제공 및 12나노급 D램 라인업 확대해, | ||
| 다양한 응용처에 공급 예정 | ||
| □ 현존 최대 용량 32Gb DDR5 D램 개발 | ||
| - 1983년 64Kb D램 개발 40년만에 용량 50만배 확대 | ||
| - TSV 공정 적용 없이 128GB 모듈 제작 가능 및 12나노급 16Gb 기반 동일 용량의 | ||
| 모듈 대비 소비 전력 10% 개선 | ||
| - AI에 최적화된 고용량 D램 솔루션 제공, 1TB 모듈 구현 가능 | ||
| - 연내 양산 예정으로AI, 차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처 공급 예정 | ||
| 그래픽 DRAM | □ 업계 최고 속도 GDDR6 D램 개발 | |
| (2022.07. | - 3세대 10나노급(1z) 공정 적용으로 업계 최초 24Gbps 구현 | |
| ~2023.07.) | - 기존 제품 대비 성능 30% 이상 높여 초당 최대 1.1TB 데이터 처리, | |
| 1.1V 동작전압 지원, 전력 효율 20% 높여 다양한 고객 요구 충족 | ||
| - 국제 반도체 표준화 기구 JEDEC의 표준규격 준수해 호환성 확보 | ||
| - 차세대 그래픽카드, 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 응용처 확대 | ||
| □ 첨단 패키징 기술을 활용한 그래픽 메모리 GDDR6W 개발 | ||
| - GDDR6W는 새로운 메모리 칩 다이(die)의 개발 없이 적층, 조립 기술인 FOWLP(Fan-Out Wafer level Package) | ||
| 기술을 통해 구현된 제품 | ||
| - GDDR6와 동일한 크기의 패키지로 성능(대역폭) 2배와 용량 2배를 구현 | ||
| □ 업계 최초 GDDR7 D램 개발 | ||
| - 업계 최고 속도 32Gbps GDDR7 D램 개발로 기존 24Gbps GDDR6 대비 성능 1.4배, 전력 효율 20% 향상 | ||
| - 패키지 신소재 적용·회로 설계 최적화로 고속 동작시 발열 최소화 | ||
| - 연내 주요 고객사의 차세대 시스템에서 검증 예정, 적기 상용화로 | ||
| 차세대 그래픽카드, 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI) 등 응용처 확대 | ||
| HBM DRAM | □ 세계 최초로 AI 엔진을 탑재한 인공지능 HBM-PIM 개발 | |
| (2021.02. | - 기존 HBM2 대비 성능 2배 이상 향상, 시스템 에너지 약 70% 이상 감소 | |
| ~2023.10.) | - 반도체 분야 최고 권위 학회 ISSCC에서 논문 공개('21.2월) | |
| - 기존 메모리 인터페이스 사용으로 별도 시스템 변경없이 적용 가능 | ||
| - 데이터센터, AI 고객들과 PIM 표준화, 에코 시스템 구축 협력 | ||
| □ 인공지능 탑재 메모리 제품군 확대 (HBM-PIM 성능 평가결과 및 AXDIMM/LPDDR5-PIM 개발) | ||
| - 지난 2월 개발한 HBM-PIM 실제 시스템 적용 사례 공개 | ||
| (자일링스 AI 가속시스템에 탑재시 성능 2.5배, 에너지사용 60% 이상 감소) | ||
| - D램 모듈에 AI 기능 탑재한 AXDIMM은 기존 대비 성능 2배, 에너지사용 40% 감소 | ||
| - 모바일 D램과 PIM 기술을 결합한 LPDDR5-PIM 공개 | ||
| □ HBM-PIM과 GPU를 함께 탑재한 AI용 가속기 구현 | ||
| - AMD의 GPU 가속기 카드에 HBM-PIM 메모리를 탑재하여 HBM-PIM Cluster 구현 | ||
| - HBM-PIM을 활용하지 않은 기존 GPU 가속기 대비, 평균 성능 약 2배 증가, 에너지 소모는 약 50%가 감소 | ||
| - HBM-PIM 탑재한 가속기를 지원하는 소프트웨어 준비도 병행중으로, 향후 고객들은 통합된 소프트웨어 환경에서 | ||
| PIM 메모리 솔루션을 사용할 것으로 기대 | ||
| □ AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트(Shinebolt)' 공개 | ||
| - 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공하며, | ||
| 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도 | ||
| - NCF(Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했으며, | ||
| 열전도를 극대화해 열 특성을 또한 개선 | ||
| - 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달 중 | ||
| NAND | □ '8세대 V낸드' 양산 | |
| (2022.11.) | - 세계 최고 용량의 '1Tb(테라비트) 8세대 V낸드' 양산 | |
| - 웨이퍼당 비트 집적도 대폭 향상, 업계 최고 수준 비트 밀도 확보 | ||
| - 차세대 인터페이스 적용, 2.4Gbps 전송 속도 구현으로 기존대비 성능 1.2배 향상 | ||
| - 차세대 서버시장 고용량화 주도, 고신뢰성을 요구하는 전장 시장까지 사업 영역 확대 | ||
| eStorage | □ 업계 최고 성능 UFS 4.0 개발 | |
| (2022.05.) | - UFS 3.1 제품 대비 읽기/쓰기 속도 약 2배로 개선 | |
| - 동일한 데이터 처리시, 전력효율 약 46% 향상되어 장시간 사용 가능 | ||
| - 최신 보안 기술을 적용하여 고객들의 중요 데이터를 읽고 저장하는 성능 개선 | ||
| - 스마트폰, Automotive 및 VR/AR 등 컨슈머 기기로의 확대 예상 | ||
| 서버용 SSD | □ 데이터센터 전용 고성능 OCP SSD 양산 | |
| (2021.02. | - 6세대 V낸드로는 업계 최초로 OCP 규격의 SSD 양산 | |
| ~2022.07.) | - 데이터센터 업계가 요구하는 성능, 전력효율, 신뢰성, 보안 모두 만족 | |
| - 업계 최고 전력효율 특성으로 비용 절감 및 탄소 저감 효과에 기여 | ||
| □ 업계 최고 성능 SAS 24Gbps 서버용 SSD 양산 | ||
| - 이전 세대 SSD 대비 약 2배 향상된 속도 지원 | ||
| - 6세대 V낸드 기반으로 800GB 부터 30.72TB까지 고용량 제공 | ||
| - 전력효율이 약40% 향상되어 서버 운영 비용 절감 및 탄소 저감 효과 기대 | ||
| □ 차세대 기업 서버용 ZNS SSD 업계 최초 양산 | ||
| - 데이터 성격에 따라 구역(Zone)별로 분류하여 저장하는 ZNS 기술 적용 | ||
| - 기존 SSD 대비 수명연장 및 SSD 용량 최대 활용 | ||
| - AI, 빅데이터, IOT등 차세대 서버/스토리지 시스템 효율 제고에 기여 및 | ||
| 다양한 오픈소스 프로젝트 활동으로 ZNS SSD 저변 확대 | ||
| □ PCIe 5.0 기반 고성능 SSD PM1743 개발 | ||
| - PCIe 4.0 기반 SSD 대비 읽기/쓰기 속도 약 2배 및 전력효율 약 30% 개선 | ||
| - 듀얼포트 지원 및 최신 보안 기술 적용으로 서버 운영 안전성 보장 | ||
| □ 연산기능 강화한 '2세대 스마트SSD' 개발 | ||
| - 연산 성능 2배 향상, 처리시간 50% 이상, 에너지 70%, CPU 사용 97% | ||
| - SSD 내에서 데이터 처리, 시스템 성능과 에너지 효율 동시에 향상 | ||
| - 데이터베이스, 비디오 트랜스코딩 등 다양한 시장 요구에 적극 대응 | ||
| - 컴퓨테이셔널 스토리지 표준화 주도, 차세대 스토리지 제품 개발 확대 | ||
| Client SSD | □ 5나노 기반 컨트롤러 탑재한 PC용 고성능 SSD 'PM9C1a' 양산 | |
| (2023.01.) | - 5나노 기반 신규 컨트롤러와 7세대 V낸드 탑재로 성능 향상 | |
| - 기존 대비 속도 최대 1.8배, 전력 효율 최대 70% 가량 향상 | ||
| - DICE 표준 신규 적용 등 보안솔루션 강화로 디바이스 인증, 증명 기술 지원 | ||
| 브랜드 SSD | □ 소비자용 SATA SSD 870 EVO 글로벌 출시 | |
| (2021.01. | - 최신 V낸드, 컨트롤러 탑재, 인텔리전트 터보라이트 기술 적용 | |
| ~2023.11.) | - 업계 최고 수준 내구성 보유, 지속성능 30% 이상 향상 | |
| - 250GB~4TB까지 5개 모델로, 한국ㆍ미국ㆍ독일ㆍ중국 등 40여개국 순차 출시 | ||
| □ 성능과 경제성을 모두 만족한 고성능 NVMe SSD 980 출시 | ||
| - 6세대 V낸드 탑재, SATA SSD 대비 최대 6배 빠른 성능 제공 | ||
| - 비용을 고려한 DRAMless 설계와 컨트롤러, 펌웨어 최적화 기술 적용 | ||
| - 하이엔드 제품에 적용되는 열 제어 기능 탑재 | ||
| - 970 EVO 대비 전력효율 56% 향상, 소비자들 '착한 소비' 가능 | ||
| □ 성능과 내구성 모두 갖춘 전문가용 포터블 SSD 'T7 실드(Shield)' 출시 | ||
| - 방수, 방진, 최대 3미터 낙하 보호 설계 | ||
| - 고화질 영상 녹화, 편집 등의 성능 저하 없이 안정적으로 데이터 전송 | ||
| □ 게이밍에 최적화된 고성능 SSD '990 PRO' 공개 | ||
| - 최신 V낸드 기술과 독자 컨트롤러로 업계 최고 수준 성능 구현 | ||
| - 전작보다 속도 최대 55%, 전력 효율 최대 50% 향상 | ||
| - 고성능 그래픽 게임, 4K/8K 고화질 비디오 등 초고속 데이터 처리 작업이 요구되는 환경에 최고 성능 제공 | ||
| □ 고성능 SSD '990 PRO' 4TB 출시 | ||
| - 최첨단 '8세대 V낸드' 적용 및 업계 최고 수준 성능 구현으로 | ||
| PCle 4.0 기반 소비자용 SSD 중 가장 빠른 임의 읽기 속도 제공 | ||
| - 고성능 게임, 3D/4K그래픽 작업 등 초고속 데이터 처리 작업 필요한 환경에 최적화 | ||
| - 단면 설계, 열 분산 시트/히트싱크 장착으로 호환성, 방열 성능 강화 | ||
| □ 초고속 포터블 SSD 'T9' 출시 | ||
| - 최신 데이터 전송 인터페이스 'USB 3.2 Gen2x2' 지원으로 전세대 대비 연속읽기/쓰기 성능 약 2배 향상 | ||
| - 대용량 파일 전송 시 발생하는 성능 저하, 발열 현상 개선을 위해 표면 소재 개선 및 S/W 최적화 | ||
| □ 업계 최대 8TB 용량 포터블 SSD 신제품 'T5 EVO' 출시 | ||
| - USB3.2 Gen1 기반 최대 460MB/s 연속 읽기?쓰기 성능 제공 | ||
| - 컴팩트한 크기와 무게와 메탈링 적용하여 휴대성 강화 | ||
| - 과열 방지 기술과 하드웨어 데이터 암호화 기술을 적용 | ||
| EUV | □ 업계 최선단 14나노 EUV DDR5 D램 양산 | |
| (2021.10.) | - EUV 멀티레이어 적용 및 업계 최고 웨이퍼 집적도 구현으로 생산성 약 20% 향상 | |
| - DDR4 대비 속도 2배 및 이전 공정 대비 소비전력 약 20% 개선 | ||
| CXL | □ 업계 최초 CXL 기반 DRAM 메모리 기술 개발 | |
| (2021.05. | - 대용량 데이터센터가 요구하는 차세대 메모리 솔루션으로 DRAM 모듈의 물리적 한계 극복, | |
| ~2023.05.) | 용량 대역폭의 획기적인 확장 가능 | |
| - CXL 컨트롤러를 통해 인터페이스 컨버팅, 에러 관리 등 지원 | ||
| - 데이터센터, 서버, 칩셋 업체들과 협력으로 CXL DRAM 메모리에 최적화된 컨트롤러, 소프트웨어 기술 개발 | ||
| □ 업계 최초 CXL 메모리 오픈소스 소프트웨어 솔루션 개발 | ||
| - 메인 메모리와 CXL 메모리가 최적으로 동작할 수 있도록 지원하여 시스템 메모리의 성능/용량 확장 가능 | ||
| □ 업계 최초 고용량 512GB CXL D램 개발 | ||
| - CXL D램 용량 4배 향상, 서버 한 대당 수십 테라바이트 이상 확장 가능 | ||
| - CXL 전용 컨트롤러 탑재, 데이터 지연 시간 1/5로 감소 | ||
| □ 고용량 AI 모델을 위한 CXL 기반의 PNM 솔루션 개발 | ||
| - PNM(Processing-near-Memory)은 연산기능을 메모리 옆에 위치시켜 CPU-메모리간 발생하는 | ||
| 병목현상을 줄이고 시스템 성능 개선 | ||
| - 높은 메모리 대역폭을 요구하는 추천 시스템이나 인-메모리 데이터베이스 등의 응용에서 약 2배 이상 성능이 향상 | ||
| □ 업계 최초 'CXL 2.0 D램' 개발 | ||
| - D램 모듈의 한계 극복, 대역폭과 용량 확장 가능 | ||
| - CXL D램 영역을 분할 사용하는 '메모리 풀링' 지원으로 서버 운영비용 절감 | ||
| - 데이터센터, 서버, 칩셋 기업과 지속 협력해 CXL 생태계 확장 및 차세대 컴퓨팅 시장 수요 적기 대응으로 시장 선도 | ||
| 복합칩 | □ 업계 최고 성능의 uMCP5(LPDDR5 + UFS3.1) 멀티칩 패키지 양산 | |
| (2021.06.) | - 기존 LPDDR4X 대비 속도 1.5배, UFS2.2 대비 2배 향상 | |
| - 중저가 5G 스마트폰까지 탑재하여 5G 대중화 견인 | ||
| 브랜드 Card | □ 성능ㆍ안정성을 강화한 마이크로 SD카드 신제품 출시 | |
| (2021.09. | - 'PRO Plus'는 이전세대 대비 읽기 속도 약 1.6배, 쓰기 속도 약 1.3배 | |
| ~2023.08.) | - 'EVO Plus'는 이전세대 대비 읽기 속도 약 1.3배 | |
| - 강화된 성능과 외부 충격에 강한 디자인 설계로 일반 소비자 뿐만 아니라 | ||
| 4K UHD 영상과 같은 고사양의 컨텐츠를 제작, 고객까지 만족 기대 | ||
| □ 성능과 내구성을 강화한 메모리카드 'PRO Endurance' 출시 | ||
| - 서버급 고품질 낸드 채용, 16년 연속 녹화 가능한 내구성 | ||
| - CCTV, 블랙박스 등 고해상도(4K, 풀HD) 영상 녹화장치에 최적화 | ||
| - 극한 환경에서도 안정적 녹화 성능을 유지, 6-proof 보호 적용 | ||
| - 클래스 10, UHS 클래스 U3, 비디오 스피드 클래스 V30 속도 지원, 풀HDㆍ4K 고해상도 영상 연속 촬영 | ||
| □ 속도와 안정성 강화한 메모리카드 'PRO Ultimate' 출시 | ||
| - UHS-I 규격 최고 수준의 200MB/s 읽기 속도, 130MB/s 쓰기 속도 지원, | ||
| 기존 대비 전력 효율 37% 향상 및 방수ㆍ낙하ㆍ마모ㆍ엑스레이ㆍ온도 등 극한의 외부 환경에서도 데이터 보호 | ||
| - 전문 포토그래퍼, 크리에이터 및 드론, 액션캠, DSLR 카메라 등 고해상도 콘텐츠 작업에 | ||
| 최적의 SD카드/마이크로SD카드 제공 | ||
| Automotive | □ Automotive향 메모리 토탈 솔루션 양산 | |
| (2021.12. | - IVI향 256GB SSD, 2GB DDR4/GDDR6 및 AD향 2GB GDDR6, 128GB UFS | |
| ~2023.10.) | - 서버급에 탑재되는 고성능 SSD와 그래픽D램 공급 및 차량용 반도체 시장에서 | |
| 요구하는 높은 안전성 확보(영하 40℃~영상 105℃ 동작보증구간 지원) | ||
| □ 초저전력 차량용 UFS 3.1 양산 | ||
| - 업계 최저 소비 전력을 가진 차량용 인포테인먼트(IVI) UFS 3.1 양산으로 | ||
| 전기차,자율주행차 등에 최적화 | ||
| - 전 세대 제품 대비 33% 낮은 소비 전력, 256GB 기준 최대 읽기 속도 2,000MB/s, 최대 쓰기 속도 700MB/s 제공 | ||
| - 고객의 다양한 요구 충족을 위한 128GB/256GB/512GB 라인업 구축으로 첨단 운전자 지원 시스템(ADAS)용 | ||
| UFS 3.1 제품과 함께 전장 스토리지 제품 라인업 강화 | ||
| □ 2025년 전장 메모리 시장 1위 달성을 위한 차량용 핵심 솔루션 공개 | ||
| - 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 | ||
| 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)' 공개, 최대 6,500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하며, | ||
| 4TB 용량 제공 | ||
| - 차량용 고대역폭 GDDR7 및 패키지 크기를 줄인 LPDDR5X 등도 선보임 | ||
| System | 이미지센서 | □ 1억8백만화소 프리미엄 이미지센서 '아이소셀 HM3' 출시 (HM3, 0.8um/108Mp) |
| LSI | (2021.01. | - 0.8㎛ 크기 작은 픽셀 1억 8백만개를 '1/1.33인치'에 집적 |
| ~2023.12) | - '스마트 ISO 프로'로 잔상 최소화, 밝고 선명한 이미지 촬영 가능 | |
| - 자동초점 최적 렌즈 탑재 '슈퍼 PD 플러스' 적용… 초점 검출 능력 50% 향상 | ||
| - 설계 최적화로 프리뷰 모드 동작 전력 기존 대비 약 6% 절감 | ||
| □ 사람 눈과 더욱 가까워진 이미지센서 '아이소셀 GN2' 출시 (GN2, 1.4um/50Mp) | ||
| - 업계 최초, 픽셀을 대각선 분할하는 '듀얼 픽셀 프로' 적용 | ||
| - 1.4um 픽셀 구조, 보다 밝고 선명한 이미지 촬영 | ||
| - 스태거드 HDR, 기존 제품 대비 동작 전력 약 24% 감소 | ||
| □ 업계 최초 0.64um 픽셀 적용 '아이소셀 JN1' 출시(JN1, 0.64um/50Mp) | ||
| - 초소형 픽셀 크기 양산, 고화소 모바일 카메라 슬림 디자인 적용 | ||
| - 어두운 곳에서 촬영 감도 높이는 최첨단 이미지센서 기술 적용 | ||
| - 카메라 렌즈 모듈사 협력, 1/2.8" 제품과 호환 가능한 생태계 구축 | ||
| □ 차량용 이미지센서 '아이소셀 오토 4AC' 본격 출시(4AC, 3.0um/1.2Mp) | ||
| - 서라운드 뷰 모니터, 후방 카메라에 적용 예정 | ||
| - 극한 환경에서도 운전자 보조, 사각지대를 최소화하는 안전 솔루션 | ||
| □ 초격차 모바일 이미지센서 신기술 공개(HP1, 0.64um/200Mp 및 GN5, 1.0um/50Mp) | ||
| - 업계 최초 '2억화소' 벽을 넘어선 '아이소셀 HP1' | ||
| - 업계 최소 크기의 듀얼 픽셀 이미지셀'아이소셀 GN5' | ||
| □ 업계 최소 픽셀 크기의 2억화소 이미지센서 공개(HP3, 0.56um/200Mp) | ||
| - 기존 HP1(0.64um)보다 12% 작아진 픽셀 크기로 카메라 모듈 면적 최대 20% 감소 | ||
| - '슈퍼 QPD' 기술로 2억개 픽셀 모두 자동 초점 기능 구현 | ||
| - '테트라 스퀘어드 픽셀' 기술 활용, 저조도 환경에서도 선명한 화질 | ||
| - AI기반의 화질처리 솔루션 구현으로 2억화소 화질 해상도 개선 및 5천만 화소 센서 줌 활용도 향상 | ||
| □ 초고화소 기술 집약된 2억화소 이미지센서 출시(HP2, 0.6um/200Mp) | ||
| - 업계 최초 '듀얼 버티컬 트랜스퍼 게이트' 적용, 색 표현력 및 화질 개선 | ||
| - '테트라 스퀘어드 픽셀' 기술 활용, 저조도 환경에서도 선명한 화질 | ||
| - '듀얼 슬로프 게인' 적용, 업계 최초 5천만화소에서 센서 자체로 HDR 구현 | ||
| - '슈퍼 QPD' 적용, 전 화소 이용 위상차 자동 초점 지원 | ||
| □ 업계 최고 성능 자율주행 이미지센서 출시(1H1, 2.1um/8.3Mp) | ||
| - 전장 120dB HDR, LFM(LED Flicker Mitigation) 및 Motion-Artifact Free 동시 구현 | ||
| - 인접 픽셀 간섭 방지 DTI(Deep Trench Isolation) 적용, 저조도 SNR 강화 | ||
| □ '아이소셀 비전 63D' iTOF(indirect Time of Flight) 센서 공개(63D, 3.5um/0.3Mp) | ||
| - 빛의 파장을 감지해 사물의 3차원 입체 정보를 측정 | ||
| - 업계 최초 원칩 iTOF 센서… 전작(33D) 대비 시스템 전력 소모량 40% 감소 | ||
| - 면광원 및 점광원 모드 동시 지원… 최대 측정거리 10미터까지 확장 | ||
| □ '아이소셀 비전 931' 글로벌 셔터(Global Shutter) 센서 공개(931, 2.2um/0.4Mp) | ||
| - 사람 눈처럼 모든 픽셀 동시에 빛에 노출해 촬영 … 신속성 및 정확성 증가 | ||
| - 사용자의 눈동자, 얼굴 표정, 손동작 같은 미세한 움직임 인식 가능 | ||
| 엑시노스 | □ 5G 통합 프리미엄 모바일AP '엑시노스 2100' 출시(엑시노스 2100) | |
| (2021.01. | - 최첨단 5나노 EUV 공정ㆍ최신 CPU/GPU 적용, 성능 대폭 향상 | |
| ~2023.10.) | - 설계 최적화로 전작 대비 성능 CPU 30%, GPU 40% 이상 개선 | |
| - 온디바이스 AI 성능 강화, 초당 26조번 인공지능(AI) 연산 | ||
| - 소비전력 최대 20% 감소, 자체 전력 관리 솔루션 'AMIGO'도 적용 | ||
| - 초고주파 대역 5G 통신 지원, 최대 6개 이미지센서 처리 등 | ||
| □ EUV(Extreme UltraViolet, 극자외선) 공정 기반 웨어러블용 '엑시노스 W920' 출시 | ||
| - 최신 5나노 EUV 공정 및 설계 기술 적용으로 성능과 전력효율 향상 | ||
| - 최첨단 패키지 기술을 적용, 웨어러블용 초소형 패키지로 구현 | ||
| - 최신 ARM 코어 적용, 전세대(Exynos 9110) 대비 CPU 성능 20%, 그래픽 성능 10배 향상 | ||
| - 저전력 디스플레이용 코어 탑재, AOD(Always On Display) 모드에서 프로세서 전력소모 97% 개선 | ||
| □ 업계 최초 5G 통신 서비스 제공하는 차량용 통신칩 '엑시노스 오토 T5123' 출시 | ||
| - 초당 5.1Gb 다운로드 지원, 주행 중에도 끊김없이 고용량ㆍ고화질 콘텐츠 이용 가능 | ||
| - 최신 5G 기반 멀티모드 통신칩 내장돼 5G 단독망 및 LTE 혼합망 모두 지원 | ||
| □ 차량 인포테인먼트용 프로세서 '엑시노스 오토 V7' 출시 | ||
| - 신경망처리장치(NPU), 카메라 센서의 불량화소 및 왜곡 보정 기술, 이미지 압축기술 등 최신 차량용 기술 적용 | ||
| - 그래픽 장치는 디지털 계기판, 중앙 정보 디스플레이(CID, Center Information Display), | ||
| 헤드업 디스플레이(HUD, Head Up Display) 등 독립된 4개 디스플레이 구동 및 최대 12개의 카메라 센서 지원 | ||
| - 보안 프로세서 탑재해 차량 주요 정보를 안전하게 보관 및 물리적 복제 방지 기술 제공 | ||
| □ 프리미엄 모바일 AP '엑시노스 2200' 출시 | ||
| - AMD와 공동 개발한 차세대 GPU '엑스클립스(Xclipse)' 탑재, 게임 성능 및 전력 효율 극대화 | ||
| - 업계 최초 모바일 기기에서 하드웨어 기반 '광선 추적(Ray Tracing)' 기술 구현 | ||
| - ARM 최신 CPU 아키텍처 'Armv9' 기반 코어 적용하여 성능 및 보안 강화 | ||
| - NPU 연산 성능 이전 대비 두 배 이상 향상, 머신러닝 성능 대폭 향상 | ||
| □ 5G 기반 위성통신용 모뎀 국제 표준기술 확보(NTN: Non Terrestrial Network) | ||
| - 이동통신 표준화 기술협력기구(3GPP)의 최신 표준(릴리즈-17) 반영 | ||
| - 저궤도 위성 위치 예측, 주파수 오류 최소화 기술 적용 | ||
| - 간단한 문자 메시지 외 영상 등 대용량 데이터 양방향 송수신 가능 | ||
| □ UWB기반 근거리 무선통신용 반도체 '엑시노스 커넥트 U100' 공개 | ||
| - 수 센티미터 이내, 5도 이하 정밀 측위 가능 | ||
| - 저전력 원칩으로 모바일, 전장, 각종 IoT 기기에 최적화 | ||
| - 해킹 방지 STS(Scrambled Timestamp Sequence) 기능 및 보안 HW 암호화 엔진 적용 | ||
| - UWB 표준 단체 'FiRa 컨소시엄' 국제 공인 인증 | ||
| □ 최첨단 모바일 AP '엑시노스 2400' 공개 | ||
| - 업계 최고 수준의 레이 트레이싱 성능, 전작 대비 2.1배 성능 향상 | ||
| - 향상된 AI성능으로 인터넷 연결없이 온디바이스 생성형 AI 기능 제공 | ||
| - 비지상 네트워크(NTN : Non-Terrestrial Network) 기술, 엑시노스 최초 탑재 | ||
| LSI | □ DDR5 D램 모듈용 전략관리반도체(S2FPD01, S2FPD02, S2FPC01) | |
| (2021.01. | - 차세대 기기 성능향상 및 전력절감에 핵심, 전력관리반도체 3종 | |
| ~2023.03.) | - 전력 소비 및 발열 낮추는 자체 기술 적용, 동작 효율 최고 91%까지 향상 | |
| - 메모리용 전력관리반도체 라인업 지속확대 및 기술 리더십 강화 | ||
| □ 차량 인포테인먼트 프로세서용 전력공급반도체(S2VPS01) | ||
| - 차량용 시스템 안전기준 '에이실-B' 인증 획득, 기능 안전성 강화 | ||
| - 발열 차단 기능, 자가 진단 기능 등 시스템 안정성 강화 | ||
| □ 생체인증카드용 원칩 지문인증 IC 출시(S3B512C) | ||
| - 하드웨어 보안칩(SE, Secure Element), 지문 센서, 보안 프로세서 기능을 하나의 IC로 통합 | ||
| - 보안 국제 공통 평가 기준(CC, Common Criteria)의 EAL6+ 등급 획득, | ||
| 글로벌 온라인 카드 결제 기술표준(EMVCo) 인증 및 마스터카드의 생체 인식 평가 통과로 보안성 입증 | ||
| Foundry | 2.5D 반도체 | □ 로직칩과 4개의 HBM칩을 한 패키지에 구현하여 하나의 반도체처럼 동작 |
| 패키지 기술 | □ 실리콘 인터포저를 적용해 안정적 전력 공급 및 초미세 배선 구현 | |
| 'I-Cube4' | - 100마이크로미터 수준의 얇은 인터포저 변형을 막는 반도체 공정/제조 노하우 적용 | |
| (2021.05.) | □ 열 방출 성능 우수한 독자 구조로 생산기간 단축 및 수율 향상 | |
| 8나노 RF 공정 | □ 서브 6GHz 및 밀리미터파까지 지원하는 5G 통신용 RF(Radio Frequency) 공정 | |
| (2021.06.) | - 멀티 채널, 멀티 안테나 지원 원칩 솔루션으로 소형, 저전력, 고품질 통신 제공 | |
| □ 독자 개발 RF 전용 반도체 소자 'RFeFET(RF extremeFET)' 적용해 RF 성능 향상 | ||
| - 전자의 이동 통로인 채널 주변부에 물리적 자극을 가해 전자 이동 특성 극대화 | ||
| □ 전 세대 14나노 RF 공정 대비 전력 효율 35% 증가, 아날로그 회로 면적 35% 감소 | ||
| - RFeFET의 성능이 크게 향상되어 칩의 전체 트랜지스터 수 감소 | ||
| 2.5D 반도체 | □ 실리콘 인터포저 및 하이브리드 기판을 사용한 2.5D 솔루션 'Hybrid Cube' | |
| 패키지 기술 | - 인터포저 위에 로직과 고대역폭 메모리(HBM)를 배치, 최대 6HBM 집적 구현 | |
| 'H-Cube' | - 하이브리드 기판은 상단의 고사양 메인 기판이 로직/메모리 칩을 연결하고, | |
| (2021.11.) | 대면적 구현이 용이한 하단의 보조 기판이 시스템 보드 연결을 전담하는 이중 구조 | |
| - 두 기판을 전기적으로 연결하는 솔더볼(Solder ball) 간격을 35% 좁혀 기판 크기 감소 | ||
| - 칩 분석기술 적용해 안정적으로 전원을 공급하고 신호의 왜곡 및 손실을 축소 | ||
| - 고성능/대면적이 요구되는 데이터센터, AI, 네트워크 등 분야 반도체에 최적화 | ||
| 세계 최초 | □ 세계 최초 Gate-All-Around(GAA) 트랜지스터 기술 적용한 3나노 공정 양산 | |
| GAA 기술 적용 | - 나노시트 활용한 독자적 GAA 기술 'MBCFET' 적용해 전력효율 및 성능 극대화 | |
| 3나노 공정 | - 3나노 1세대 공정은 5나노 대비 전력 45%↓, 성능 23%↑, 면적 16%↓ | |
| (2022.06.) | □ GAA는 핀펫의 기술적 한계를 극복하여 공정 미세화 지속을 가능케 하는 기술 | |
| - 채널의 모든 면을 게이트가 감싸 전류제어 특성 향상, 동작전압 및 전력소모 감소 | ||
| - 채널을 수직 적층한 구조로 단위 면적당 채널폭 및 전류량이 증가하며 성능 향상 | ||
| - 채널 폭을 조절할 수 있어 설계 자유도 향상 | ||
| □ 에코시스템 파트너들과 검증된 3나노 설계 인프라 및 서비스 제공 중 | ||
| □ 고성능ㆍ저전력HPC용 시스템 반도체, 모바일SOC 등에 적용 확대 계획 |
